Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQJ476EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 100V 23A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQJ476EP
SQJ476EP-T1_GE3 Hakkında
Vishay tarafından üretilen SQJ476EP-T1_GE3, N-kanal MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 23A sürekli drain akımı ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. PowerPAK SO-8 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-state direnci (38mOhm @ 10A, 10V) sayesinde enerji kaybını minimize eder. -55°C ile 175°C arasında çalışan bu transistör, anahtarlama güç kaynakları, motor kontrolü, LED sürücüleri ve endüstriyel kontrol devreleri gibi uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir. 4.5V ve 10V sürme gerilimi ile standart lojik entegreleri ile uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 23A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 700 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 45W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 38mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok