Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQJ474EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 100V 26A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQJ474EP
SQJ474EP-T1_GE3 Hakkında
Vishay SQJ474EP-T1_GE3, 100V drenaj-kaynak geriliminde 26A sürekli drenaj akımı sağlayan N-kanal MOSFET transistördür. PowerPAK SO-8 SMD paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate geriliminde 30mΩ maksimum on-direnç değeri ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile +175°C çalışma sıcaklık aralığında maksimum 45W güç dağıtabilir. Gate eşik gerilimi 2.5V olup, ±20V maksimum gate gerilimi toleransı vardır. İnverter devreleri, anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler ve motor kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 26A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1100 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 45W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok