Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQJ469EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQJ469EP
SQJ469EP-T1_GE3 Hakkında
SQJ469EP-T1_GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 80V drain-source voltaj ve 32A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. PowerPAK SO-8 yüzey montajı paketi içinde sunulan bu bileşen, 10V gate sürücü voltajında 25mΩ maksimum on-direnci ve 155nC gate yükü özellikleri ile karakterizedir. -55°C ile +175°C arasında çalışabilen bu MOSFET, endüstriyel motor kontrol devreleri, güç anahtarlama uygulamaları ve batarya yönetim sistemlerinde kullanılır. 100W maksimum güç disipasyonu kabiliyeti, kompakt SO-8 paketi ile yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarına uygun bir seçimdir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 32A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 155 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5100 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 10.2A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok