Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQJ465EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 60V 8A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQJ465EP
SQJ465EP-T1_GE3 Hakkında
Vishay SQJ465EP-T1_GE3, P-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 8A sürekli drenaj akımına sahiptir. PowerPAK® SO-8 yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, 85mOhm maksimum on-state direnci ile düşük kayıplar sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığına dayanıklıdır. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol, ters akım koruması ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. 40nC gate charge değeri ile hızlı komütasyon özelliğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1140 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TA) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 45W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85mOhm @ 3.5A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok