Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQJ464EP-T2_GE3
MOSFET N-CH 60V 32A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQJ464EP
SQJ464EP-T2_GE3 Hakkında
SQJ464EP-T2_GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilimi ve 32A sürekli dren akımı ile çalışır. PowerPAK® SO-8 yüzey montaj paketi içerisinde sunulur. Maksimum 17mOhm on-state direnç (10V, 7.1A koşullarında) ile düşük güç kaybı sağlar. 44nC gate charge ve 2086pF input capacitance değerleriyle hızlı anahtarlama işlemleri mümkündür. -55°C ile 175°C arasında çalışan bileşen, 45W maksimum güç dissipasyonuna sahiptir. Anahtarlama güç kaynakları, motor sürücüler, güç yönetimi devrelerinde ve endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak kullanılır. ±20V maksimum gate-source gerilimi ile geniş uygulama alanı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 32A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 44 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2086 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 45W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17mOhm @ 7.1A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok