Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQJ460AEP-T2_GE3
MOSFET N-CH 60V 58A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQJ460AEP
SQJ460AEP-T2_GE3 Hakkında
Vishay tarafından üretilen SQJ460AEP-T2_GE3, 60V drain-source voltaj desteği ile tasarlanmış N-Channel MOSFET transistördür. 58A sürekli dren akımı kapasitesi ve 8.7mΩ maksimum RDS(on) değeri ile anahtarlama uygulamalarında düşük kayıp sağlar. PowerPAK SO-8 paketinde sunulan bu transistör, 4.5V-10V gate sürüş voltajında çalışır ve -55°C ile +175°C arasında sıcaklık aralığında stabil performans gösterir. Yüksek entegrasyonlu güç yönetimi, DC-DC konvertörleri, motor kontrolü ve endüstriyel anahtarlama devrelerinde kullanılır. 106nC gate charge ve 2654pF input capacitance ile hızlı komütasyona uygun tasarımı, verimliliği arttırır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 58A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 106 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2654 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 68W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.7mOhm @ 10.7A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok