Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQJ460AEP-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 32A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQJ460AEP
SQJ460AEP-T1_GE3 Hakkında
Vishay SQJ460AEP-T1_GE3, N-channel MOSFET transistöründür ve 60V drain-source gerilimi ile 32A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. PowerPAK SO-8 paketinde sunulan bu bileşen, 9.6mΩ (maksimum) on-resistance değeriyle düşük kayıp uygulamalarda kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen SQJ460AEP, güç denetim, motor sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama güç kaynakları gibi yüksek akım gerektiren uygulamalarda tercih edilir. 106nC kapı yükü ve düşük giriş kapasitansı hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 32A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 106 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4795 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.6mOhm @ 18A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok