Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQJ457EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 60V 36A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQJ457EP
SQJ457EP-T1_GE3 Hakkında
Vishay SQJ457EP-T1_GE3, PowerPAK® SO-8 paketinde üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltajı ve 36A sürekli dren akımı kapasitesiyle güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 25mΩ RDS(on) değeri ile düşük ısı kaybı sağlayan bu bileşen, -55°C ile +175°C arasında çalışabilir. Gate charge karakteristiği 100nC @ 10V olan cihaz, anahtarlama hızının önemli olduğu DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve güç dağıtım uygulamalarında tercih edilir. Surface mount montajı ile modern PCB tasarımlarına uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 36A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 100 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3400 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 68W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok