Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQJ456EP-T2_GE3
MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQJ456EP
SQJ456EP-T2_GE3 Hakkında
Vishay tarafından üretilen SQJ456EP-T2_GE3, N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 32A sürekli drenaj akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. PowerPAK SO-8 paketinde sunulan bu bileşen, 26mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Endüstriyel kontrol sistemleri, güç yönetimi devreleri, motor sürücüleri ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Surface mount teknolojisi ile PCB'ye doğrudan entegrasyona uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 32A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 63 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3342 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26mOhm @ 9.3A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok