Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQJ456EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQJ456EP
SQJ456EP-T1_GE3 Hakkında
Vishay SQJ456EP-T1_GE3, N-kanal MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilim ve 32A sürekli drain akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 26mOhm (10V, 9.3A) on-resistance değeri ile düşük ısı kaybı sağlar. PowerPAK SO-8 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrol, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devrelerinde ve endüstriyel kontrol sistemlerinde kullanılabilir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığına sahip olup, 83W maksimum güç dağılımı gerçekleştirebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 32A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 63 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3342 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26mOhm @ 9.3A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok