Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQJ454EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 200V 13A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQJ454EP
SQJ454EP-T1_GE3 Hakkında
Vishay SQJ454EP-T1_GE3, N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source voltajında 13A sürekli drain akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. 145mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük dirençli anahtarlama uygulamaları için uygundur. PowerPAK® SO-8 yüzey montajlı paket içerir ve -55°C ile +175°C arasında çalışabilir. Gate charge karakteristiği 85nC olup hızlı anahtarlama devrelerinde, power supply tasarımında, motor kontrol sistemlerinde ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 68W maksimum güç dağıtımı kapasitesi sayesinde endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında yaygın olarak tercih edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 85 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2600 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 68W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 145mOhm @ 7.5A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok