Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQJ443EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 40V 40A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQJ443EP
SQJ443EP-T1_GE3 Hakkında
SQJ443EP-T1_GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 40V drenaj-kaynak gerilimi (Vdss) ve 40A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. PowerPAK SO-8 yüzey montajlı paketlemede sunulan bu bileşen, düşük on-resistance (RDS(on): 29mOhm @ 18A, 10V) karakteristiği ile enerji verimliliğini destekler. -55°C ile 175°C işletme sıcaklık aralığında çalışabilir. Genellikle anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, batarya yönetim sistemleri ve anahtarlanmış güç kaynaklarında kullanılır. 57nC gate charge ve 2030pF input capacitance değerleri hızlı komütasyon sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 40A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 57 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2030 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TA) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29mOhm @ 18A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok