Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQJ433EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 30V 75A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQJ433EP
SQJ433EP-T1_GE3 Hakkında
SQJ433EP-T1_GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 75A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle güç elektronik uygulamalarında kullanılır. 8.1mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. PowerPAK® SO-8 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 175°C arasındaki geniş sıcaklık aralığında çalışır. Anahtarlama devreleri, motor kontrol, güç yönetimi ve ters kutuplu elektrik devrelerinde uygulanır. 108nC gate charge ile hızlı komütasyon özellikleri vardır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 75A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 108 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4877 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.1mOhm @ 16A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok