Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQJ431EP-T2_GE3
MOSFET P-CH 200V 12A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQJ431EP
SQJ431EP-T2_GE3 Hakkında
SQJ431EP-T2_GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilim (Vdss) ve 12A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. PowerPAK SO-8 paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel kontrol devrelerinde, güç kaynakları, motor sürücüler ve anahtarlama regülatörlerinde yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında 83W güç dağıtabilir. 10V Vgs'de 213mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük kondüksiyon kayıpları sağlar. 106nC gate charge ve 4355pF input capacitance özellikleri ile hızlı anahtarlama işlemlerine uygun tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 106 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4355 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 213mOhm @ 3.8A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok