Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQJ431EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 200V 12A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQJ431EP
SQJ431EP-T1_GE3 Hakkında
Vishay SQJ431EP-T1_GE3, P-Channel MOSFET transistördür. 200V Drain-Source gerilimi ve 12A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. PowerPAK SO-8 surface mount paketinde sunulan bu FET, anahtarlama ve yüksek akım uygulamalarında, DC-DC dönüştürücülerde, güç kaynağı devrelerinde ve motor kontrol sistemlerinde yer alır. -55°C ile 175°C çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir işlem sağlar. 213mOhm maksimum Rds(on) değeri ile enerji kaybını sınırlar. Gate charge 160nC olup hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 160 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4355 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 213mOhm @ 1A, 4V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok