Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQJ431AEP-T1_GE3
MOSFET P-CH 200V 9.4A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQJ431AEP
SQJ431AEP-T1_GE3 Hakkında
Vishay SQJ431AEP-T1_GE3, P-channel MOSFET transistörüdür. 200V drain-source gerilimi ve 9.4A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. PowerPAK® SO-8 yüzey montaj paketi içerisinde sunulan bu bileşen, 10V gate geriliminde 305mOhm on-resistance değerine sahiptir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bileşen, 68W maksimum güç tüketimi kapasitesine özeldir. Gate charge değeri 85nC ve giriş kapasitansi 3700pF'tir. Elektronik güç yönetimi, switch uygulamaları, motor kontrol ve pil yönetim sistemlerinde kullanılan bu MOSFET, yüksek güç uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 85 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3700 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 68W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 305mOhm @ 3.8A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok