Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQJ422EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 74A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQJ422EP
SQJ422EP-T1_GE3 Hakkında
SQJ422EP-T1_GE3, Vishay tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 40V drain-source voltajı ve 74A sürekli drain akımı ile güç uygulamalarında kullanılır. PowerPAK® SO-8 yüzey monte paketinde sunulan bu komponentin 3.4mOhm (10V, 18A) on-resistance değeri düşük güç kaybını sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışan transistör, anahtarlama devreleri, güç yönetimi, motor kontrol ve DC-DC konverter uygulamalarında tercih edilir. 100nC gate charge ve 4660pF input capacitance özellikleri ile hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 74A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 100 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4660 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.4mOhm @ 18A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok