Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQJ422EP-T1_BE3
MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQJ422EP
SQJ422EP-T1_BE3 Hakkında
Vishay tarafından üretilen SQJ422EP-T1_BE3, N-kanallı MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilimi ve 75A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmaktadır. PowerPAK® SO-8 yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlara uygundur. 3.4mΩ on-resistance değeri ile verimli anahtarlama işlemi sağlar. -55°C ile 175°C sıcaklık aralığında çalışabilen bu bileşen, inverter devreler, güç kaynakları, motor sürücüleri ve yüksek akım anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 2.5V gate-source eşik gerilimi ile TTL/CMOS uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 75A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 100 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4660 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.4mOhm @ 18A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok