Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQJ420EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQJ420EP
SQJ420EP-T1_GE3 Hakkında
Vishay SQJ420EP-T1_GE3, N-channel MOSFET transistörüdür ve 40V drain-source gerilimi, 30A sürekli drain akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. PowerPAK® SO-8 yüzey montajlı paket içinde sunulan bu FET bileşeni, düşük 10mOhm on-state direnç değeri sayesinde enerji dönüştürme uygulamalarında verimli çalışma sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında ve 45W maksimum güç tüketimi ile harita göstergesi, güç yönetimi, motor kontrolü ve anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda kullanılır. 41nC gate charge ile hızlı komütasyon özellikleri de sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 41 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1860 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 45W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 9.7A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok