Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQJ418EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 100V 48A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQJ418EP
SQJ418EP-T1_GE3 Hakkında
Vishay SQJ418EP-T1_GE3, N-channel MOSFET transistörü olup 100V drain-source gerilim ve 48A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. PowerPAK SO-8 paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate sürüş geriliminde 14mOhm on-direnç değerine sahiptir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen ve 68W güç tüketimine dayanabilen bu FET, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol ve doğru akım dönüştürücülerinde yaygın olarak kullanılır. Düşük gate yükü (35nC @ 10V) ve kontrollü eşik gerilimi (3.5V @ 250µA) ile hızlı ve güvenilir anahtarlama sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 48A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1700 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 68W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok