Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQJ416EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 100V 27A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQJ416EP
SQJ416EP-T1_GE3 Hakkında
Vishay SQJ416EP-T1_GE3, N-Channel MOSFET transistörü olup 100V drain-source gerilimi ve 27A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. PowerPAK® SO-8 paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate geriliminde 30mΩ on-resistance karakteristiği ile düşük kayıp uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, switch mode power supplies (SMPS), motor kontrolü, load switching ve güç yönetimi devreleri gibi endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Düşük gate charge (20nC) sayesinde hızlı anahtarlama özelliği sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 27A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 800 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 45W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok