Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQJ414EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQJ414EP
SQJ414EP-T1_GE3 Hakkında
Vishay SQJ414EP-T1_GE3, 30V drain-source gerilimi ile çalışan N-channel MOSFET transistörüdür. 30A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip olup, PowerPAK SO-8 yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 10V gate geriliminde 12mOhm tipik on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. 45W maksimum güç dağılımı kapasitesi bulunan bu bileşen, motor kontrol devrelerinde, güç yönetimi uygulamalarında, anahtarlama güç kaynakları (SMPS) ve yüksek frekanslı anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. -55°C ile 175°C junction sıcaklık aralığında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1110 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 45W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12mOhm @ 4.5A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok