Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQJ412EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQJ412EP
SQJ412EP-T1_GE3 Hakkında
Vishay tarafından üretilen SQJ412EP-T1_GE3, N-channel MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilimi ve 32A sürekli dren akımı ile tasarlanmıştır. PowerPAK® SO-8 yüzey montajlı paketinde sunulur. 4.1mΩ (maksimum) on-state direnci ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile +175°C arasında çalışır, 83W maksimum güç dağıtabilir. Gate charge 120nC ve input capacitance 5950pF özellikleri ile anahtarlama uygulamalarında hızlı tepki verir. Endüstriyel uygulamalar, motor sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler ve güç yönetimi devrelerinde kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 32A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 120 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5950 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.1mOhm @ 10.3A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok