Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQJ403BEEP-T1_GE3
MOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQJ403BEEP
SQJ403BEEP-T1_GE3 Hakkında
Vishay SQJ403BEEP-T1_GE3, 30V/30A P-Channel MOSFET transistördür. PowerPAK SO-8 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-state direnci (8.5mOhm @ 10V) ve yüksek hızlı anahtarlama özellikleri ile tasarlanmıştır. 164nC gate charge değeri ile hızlı komütasyon sağlar. -55°C ile 175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilir. Anahtarlama güç uygulamaları, DC/DC konvertörler, pil yönetim sistemleri ve endüstriyel kontrol devrelerinde yer alır. 68W maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile sürekli yüklere dayanıklı bir çözüm sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 164 nC @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 68W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.5mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok