Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQJ402EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQJ402EP
SQJ402EP-T1_GE3 Hakkında
SQJ402EP-T1_GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 32A sürekli drain akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. PowerPAK SO-8 paket tipi ile kompakt tasarım sağlar. 11mOhm maksimum on-state direnci (10A, 10V şartlarında) verimli güç transferi için uygun hale getirir. 83W maksimum güç yayılım kapasitesi ile motor kontrol, LED sürücü devreleri, inverter uygulamaları ve endüstriyel anahtarlama sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 175°C işletme sıcaklık aralığında çalışabilir. 51nC gate yükü ve 2289pF giriş kapasitanslı tasarımı hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 32A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 51 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2289 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok