Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQJ401EP-T2_GE3
MOSFET P-CH 12V 32A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQJ401EP
SQJ401EP-T2_GE3 Hakkında
SQJ401EP-T2_GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 12V drain-source voltajında 32A sürekli drenaj akımı sağlayan bu bileşen, yüksek entegre devre uygulamalarında anahtarlama ve güç kontrolü görevlerinde kullanılır. PowerPAK SO-8 paketinde sunulan transistör, 6mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp uygulamaları destekler. -55°C ile 175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığında, endüstriyel kontrol devreleri, güç yönetimi, motor sürücüleri ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılır. ±8V gate voltajı ile uyumlu tasarımı, çeşitli kontrol devrelerine entegrasyonu kolaylaştırır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 32A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 164 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10015 pF @ 6 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6mOhm @ 15A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok