Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQJ401EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 12V 32A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQJ401EP
SQJ401EP-T1_GE3 Hakkında
SQJ401EP-T1_GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 12V drain-source voltajında 32A sürekli drenaj akımı sağlayan bu bileşen, PowerPAK SO-8 yüzey montajlı paket içinde sunulmaktadır. 6 mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. Maksimum 83W güç tüketebilir ve -55°C ile 175°C arasında çalışır. ±8V gate voltajı kapasitesine sahip olan cihaz, güç dönüştürücüler, motor sürücüler, anahtarlama uygulamaları ve yük kontrolü sistemlerinde kullanılır. 164 nC gate charge ve 10015 pF giriş kapasitansı ile hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 32A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 164 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10015 pF @ 6 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6mOhm @ 15A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok