Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQJ211ELP-T1_GE3
MOSFET P-CH 100V 33.6A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQJ211ELP
SQJ211ELP-T1_GE3 Hakkında
Vishay SQJ211ELP-T1_GE3, P-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 33.6A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 30mOhm RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. PowerPAK® SO-8 surface mount paketi sayesinde kompakt tasarımlar için uygundur. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve motor kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılan bir komponenttir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 33.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 68 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3800 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 68W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 8A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok