Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQJ186EP-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQJ186EP
SQJ186EP-T1_GE3 Hakkında
Vishay SQJ186EP-T1_GE3, otomotiv uygulamaları için tasarlanmış N-Channel MOSFET transistördür. 80V drain-source gerilim (Vdss) ve 60A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. PowerPAK® SO-8 yüzey montaj paketi ile sunulan bu FET, -55°C ile 175°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığına ve 15mOhm maksimum RDS(on) değerine sahiptir. 36nC gate charge ve 10V drive voltage karakteristikleri ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Enerji dağıtma kapasitesi 135W olan bu bileşen, otomotiv elektronik sistemleri, güç yönetimi devrelerinde ve Motor kontrol uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1942 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 135W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok