Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQJ182EP-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQJ182EP
SQJ182EP-T1_GE3 Hakkında
Vishay SQJ182EP-T1_GE3, otomotiv uygulamaları için tasarlanmış N-Channel MOSFET transistördür. 80V drain-source gerilimi ve 210A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç yönetimi, motor kontrolü, otopark sistemleri ve otomotiv anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 5mΩ RDS(on) değeri ve 395W güç dağıtım kapasitesi ile verimli enerji iletimi sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında otomotiv ortamlarında güvenilir performans sunar. PowerPAK® SO-8 paketinde surface mount montajı ile kompakt tasarımlara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 210A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 96 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5392 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 395W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok