Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQJ180EP-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQJ180EP
SQJ180EP-T1_GE3 Hakkında
Vishay SQJ180EP-T1_GE3, 80V drain-source voltajına sahip automotive sınıfı N-Channel MOSFET transistördür. 248A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 3mOhm on-resistance değeri ile düşük ısıl kayıplar sağlar. PowerPAK SO-8 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, otomotiv motor kontrol devreleri, güç yönetimi sistemleri ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı ve 500W maksimum güç harcaması ile zorlu ortamlar için uygundur. ±20V gate voltaj toleransı ve 117nC gate charge değerleri hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 248A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 117 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6645 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 500W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok