Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQJ174EP-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQJ174EP
SQJ174EP-T1_GE3 Hakkında
Vishay SQJ174EP-T1_GE3, otomotiv uygulamaları için tasarlanmış N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilim derecelendirilmesine sahip bu komponent, 293A sürekli dren akımı ve 2.9mΩ on-direnci ile düşük güç kaybı sağlar. PowerPAK® SO-8 yüzey montaj paketinde sunulan cihaz, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. 500W güç dağıtımı kapasitesi ve 81nC gate charge değeri ile otomotiv güç denetim devreleri, motor kontrol uygulamaları ve yüksek akımlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. ±20V gate gerilim aralığı ile geniş uyumluluk sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 293A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 81 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6111 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 500W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.9mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok