Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQJ168ELP-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQJ168ELP
SQJ168ELP-T1_GE3 Hakkında
Vishay SQJ168ELP-T1_GE3, otomotiv uygulamaları için tasarlanmış bir N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 24A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç yönetimi devrelerinde kullanılır. 36mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlayan bu bileşen, motor kontrol, anahtarlama devreleri ve batarya yönetim sistemlerinde yer alır. PowerPAK® SO-8 paketinde sunulan transistör, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 4.5V-10V arasında drive voltajında optimal performans gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 24A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 987 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 29.4W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 36mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok