Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SQJ164ELP-T1_GE3

AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
PowerPAK SO-8
Seri / Aile Numarası
SQJ164ELP

SQJ164ELP-T1_GE3 Hakkında

SQJ164ELP-T1_GE3, Vishay tarafından üretilen otomotiv uygulamaları için tasarlanmış N-Channel MOSFET transistördür. 60V Drain-Source voltaj derecesi ile 75A sürekli drenaj akımı sağlayan bu bileşen, düşük 12mΩ on-resistance değeri sayesinde güç uygulamalarında verimli çalışma sunar. PowerPAK® SO-8 surface mount paketinde sunulan transistör, -55°C ile 175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığında stabil performans gösterir. 187W maksimum güç hızmetme kapasitesi ile otomotiv motor kontrolü, anahtarlama devreleri, güç dönüştürücüleri ve enerji yönetimi sistemlerinde kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 75A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3100 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case PowerPAK® SO-8
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 187W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 15A, 10V
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok