Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQJ152EP-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQJ152EP
SQJ152EP-T1_GE3 Hakkında
Vishay SQJ152EP-T1_GE3, otomotiv uygulamaları için tasarlanmış N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilimi ile 114A sürekli dren akımı kapasitesi sunar. 5.1mΩ on-resistance (10V gate geriliminde) ile düşük güç kaybı sağlayan bu bileşen, motor kontrol, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. PowerPAK® SO-8 yüzey montaj paketinde sunulan SQJ152EP, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 136W maksimum güç dağıtımına dayanır. Otomotiv endüstrisinde yüksek güvenilirlik standartlarını karşılaması, bu transistörü elektrikli araç drivetrain sistemleri, batarya yönetim sistemleri ve enerji dönüşüm uygulamalarında tercih edilen bir seçim yapar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 114A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1450 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 136W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.1mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok