Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQJ152ELP-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 123A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQJ152ELP
SQJ152ELP-T1_GE3 Hakkında
SQJ152ELP-T1_GE3, Vishay tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilimi ve 123A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 5mOhm maksimum Rds(on) değeri ve düşük gate charge karakteristiği ile güç dönüştürme devrelerinde, inverter uygulamalarında ve motor kontrol sistemlerinde tercih edilir. PowerPAK SO-8 paketinde sunulan bu transistör, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 136W maksimum güç dağıtabilen entegre bir yapıdır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 123A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1633 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 136W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok