Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SQJ144EP-T1_GE3

MOSFET N-CH 40V 130A PPAK SO-8

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
PowerPAK SO-8
Seri / Aile Numarası
SQJ144EP

SQJ144EP-T1_GE3 Hakkında

Vishay SQJ144EP-T1_GE3, N-Channel MOSFET transistörüdür. 40V drain-source gerilimi (Vdss) ile 130A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu komponent, düşük on-resistance karakteristiği (4.6mΩ @ 15A, 10V) ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. PowerPAK SO-8 yüzey montajı paketi ile tasarlanan bu transistör, güç kaynakları, motor sürücüleri, DC-DC konvertörleri ve diğer anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 175°C arası çalışma sıcaklığı aralığında ve 148W maksimum güç disipasyonu ile endüstriyel ve ticari uygulamalara uygun bir çözümdür.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 130A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1960 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case PowerPAK® SO-8
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 148W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.6mOhm @ 15A, 10V
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok