Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQJ142ELP-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 175A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQJ142ELP
SQJ142ELP-T1_GE3 Hakkında
Vishay SQJ142ELP-T1_GE3, N-Channel MOSFET transistör olup 40V drain-source voltajında 175A sürekli akım kapasitesine sahiptir. PowerPAK® SO-8 yüzey montaj paketinde üretilen bu FET bileşeni, düşük 2.8mOhm Rds(on) değeri ile güç uygulamalarında verimli çalışır. -55°C ile +175°C arasında stabil işlem görebilen komponent, anahtarlama devreleri, güç yönetimi, inverterler ve motor kontrolü gibi uygulamalarda kullanılır. 190W maksimum güç dağıtımı ile yüksek akım anahtarlaması gereken endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 175A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 55 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3015 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 190W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok