Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQJ140EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 266A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQJ140EP
SQJ140EP-T1_GE3 Hakkında
SQJ140EP-T1_GE3, Vishay tarafından üretilen N-kanal MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilimi ve 266A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. PowerPAK® SO-8 yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 2.1mΩ (10V, 15A'de) düşük açık direnci, anahtarlama uygulamalarında verim kaybını minimize eder. -55°C ile 175°C arasında çalışan bu transistör; DC-DC dönüştürücüler, motor kontrolü, güç dağıtım sistemleri ve yüksek akım anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda tercih edilmektedir. ±20V maksimum gate gerilimi ve 3.5V eşik gerilimi ile standart lojik seviyelerle sürülebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 266A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 64 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3855 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 263W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.1mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok