Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQJ138EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 330A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQJ138EP
SQJ138EP-T1_GE3 Hakkında
SQJ138EP-T1_GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilim kapasitesi ile 330A sürekli dren akımı sağlayabilir. PowerPAK SO-8 paketinde sunulan bu bileşen, 1.8mOhm'luk düşük on-resistance değeri ile güç tüketimini minimize eder. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir ve 312W'e kadar güç dağıtabilir. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler, güç yönetimi ve enerji verimliliği gerektiren endüstriyel sistemlerde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 330A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 81 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4715 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 312W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok