Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SQJ138ELP-T1_GE3

AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
PowerPAK SO-8
Seri / Aile Numarası
SQJ138ELP

SQJ138ELP-T1_GE3 Hakkında

SQJ138ELP-T1_GE3, Vishay tarafından üretilen otomotiv sınıfı N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source voltajında 315A sürekli drain akımı sağlayabilir. PowerPAK® SO-8 yüzey montaj paketi ile düşük 1.5mΩ Rds(on) direnci sunar. -55°C ile 175°C arasında güvenilir çalışma yapabilen bu komponent, yüksek güç uygulamalarında 500W ısı dağıtma kapasitesine sahiptir. Otomotiv kontrol sistemleri, motor sürücüleri, güç anahtarlaması ve enerji yönetim uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. ±20V maksimum gate-source voltajı ve düşük kapasitansı ile hızlı anahtarlama özellikleri sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 315A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6685 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case PowerPAK® SO-8
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5mOhm @ 15A, 10V
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok