Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQJ123ELP-T1_GE3
AUTOMOTIVE P-CHANNEL 12 V (D-S)
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQJ123ELP
SQJ123ELP-T1_GE3 Hakkında
Vishay SQJ123ELP-T1_GE3, otomotiv uygulamaları için tasarlanmış P-Channel MOSFET transistördür. 12V Drain-Source voltaj derecesi ile çalışan bu bileşen, 238A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. PowerPAK® SO-8 yüzey montaj paketinde sunulan transistör, -55°C ile +175°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sağlar. 4mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sunar. Otomotiv elektronik sistemlerinde güç anahtarlaması, motor kontrol, batarya yönetimi ve load switching uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 238A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 180 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 11680 pF @ 6 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 375W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4mOhm @ 10A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok