Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQD90P04_9M4LT4GE3
MOSFET P-CH 40V 90A TO252AA
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQD90P04
SQD90P04_9M4LT4GE3 Hakkında
Vishay tarafından üretilen SQD90P04_9M4LT4GE3, P-kanal MOSFET transistöründür. 40V drain-source gerilim ve 90A sürekli drain akımı ile güç uygulamalarında kullanılmaya uygun bir bileşendir. TO-252 (DPak) paketlemesi ile yüzey montajına uygun olup, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. 9.4mΩ On-resistance değeri ile anahtarlama ve güç yönetimi devrelerinde, motor kontrol, güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücülerde uygulanır. 155nC gate charge ve 6675pF input capacitance özellikleri hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 90A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 155 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6675 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 136W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.4mOhm @ 17A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok