Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQD50P08-28-T4_GE3
MOSFET P-CH 80V 48A TO252AA
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQD50P08
SQD50P08-28-T4_GE3 Hakkında
Vishay SQD50P08-28-T4_GE3, 80V / 48A continuous drain akımı kapasitesine sahip P-Channel MOSFET transistördür. TO-252-3 (DPak) yüzey montajlı paket ile sunulur. 28mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Gate charge 145nC ve input capacitance 6035pF olarak belirtilmiştir. -55°C ile +175°C arasında çalışır ve 136W güç dağıtım kapasitesine sahiptir. DC-DC dönüştürücüler, anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri ve güç yönetimi sistemlerinde kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 48A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 145 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6035 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 136W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28mOhm @ 12.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok