Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQD50P08-28_GE3
MOSFET P-CH 80V 48A TO252AA
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQD50P08-28
SQD50P08-28_GE3 Hakkında
SQD50P08-28_GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 80V drain-source gerilimi, 48A sürekli dren akımı ve 28mΩ on-state direnci ile düşük enerji kaybı sağlayan bir yarıiletken elemandır. TO-252-3 (DPak) yüzey montajlı paketinde sunulur. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Güç kaynakları, motor kontrol devreleri, anahtarlama uygulamaları ve elektrik şebekesi yönetim sistemlerinde kullanılır. 145nC gate charge ve düşük input kapasitansi ile hızlı anahtarlama sağlar. 136W maksimum güç dağıtımı kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 48A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 145 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6035 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 136W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28mOhm @ 12.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok