Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQD50P08-25L_GE3
MOSFET P-CH 80V 50A TO252AA
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQD50P08-25L
SQD50P08-25L_GE3 Hakkında
Vishay tarafından üretilen SQD50P08-25L_GE3, P-Channel MOSFET transistörüdür. 80V drenaj-kaynak gerilimi ve 50A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-direnç (Rds On: 25mΩ @ 10.5A, 10V) özellikleri ile verimli anahtarlama gerçekleştirir. Soğutma sekmesi sayesinde yüksek güç dağılımı (136W max) işlemleri destekler. -55°C ile 175°C arasında çalışan bu MOSFET, SMPS kaynakları, motor kontrol devreleri ve güç yönetim uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 137 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5350 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 136W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 10.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok