Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SQD50P06-15L_GE3

MOSFET P-CH 60V 50A TO252

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
SQD50P06-15L

SQD50P06-15L_GE3 Hakkında

Vishay SQD50P06-15L_GE3, 60V drain-source gerilimi ile çalışan 50A sürekli akım kapasitesine sahip P-Channel MOSFET transistörüdür. TO-252 (DPak) Surface Mount paketinde sunulan bu bileşen, 15.5mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıplar sağlar. -55°C ile 175°C arasında güvenilir çalışma aralığına ve 136W maksimum güç dağılımı kapasitesine sahiptir. Anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve yüksek akım gerektiren anahtarlama regülatörlerde kullanılır. ±20V gate-source gerilimi ve 2.5V eşik gerilimi ile hızlı ve kontrollü anahtarlama performansı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 50A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5910 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15.5mOhm @ 17A, 10V
Supplier Device Package TO-252AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok