Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQD50P04-13L_GE3
MOSFET P-CH 40V 50A TO252
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQD50P04-13L
SQD50P04-13L_GE3 Hakkında
SQD50P04-13L_GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilimi ve 50A sürekli akım kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 13mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp sağlar. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, LED sürücüler ve DC-DC dönüştürücülerde yer alır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu MOSFET, 3W ta ve 136W tc güç dağıtımı kapasitesine sahiptir. ±20V maksimum gate gerilimi ile geniş uygulanabilirlik sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 90 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3590 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3W (Ta), 136W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13mOhm @ 17A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok