Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQD50P04-09L_GE3
MOSFET P-CH 40V 50A TO252
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQD50P04-09L
SQD50P04-09L_GE3 Hakkında
Vishay SQD50P04-09L_GE3, 40V ve 50A sürekli dren akımı kapasitesine sahip P-Channel Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) bileşenidir. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 9.4mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu bileşen, güç yönetimi devreleri, anahtarlama uygulamaları, volta regülatörleri ve batarya yönetim sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. Gate charge karakteristiği 155nC olup, 4.5V ve 10V drive voltajlarında optimize edilmiştir. Maksimum 136W güç dağılımı kapasitesi ile DC-DC konvertörler ve motor kontrol devrelerinde tercih edilen bir seçenektir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 155 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6675 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 136W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.4mOhm @ 17A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok