Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQD50N10-8M9L_GE3
MOSFET N-CH 100V 50A TO252AA
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQD50N10
SQD50N10-8M9L_GE3 Hakkında
SQD50N10-8M9L_GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 50A sürekli drenaj akımı ile güç uygulamalarında kullanılır. 8.9mΩ RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol devreleri, şarj yönetimi ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans gösterir ve 136W maksimum güç dağıtabilir. ±20V gate gerilim kapasitesi ile esnekli tasarım imkanı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 70 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2950 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 136W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.9mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok